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IBM探讨半导体发展前景展示硅光子学等技

2019-08-15 17:50:59来源:励志吧0次阅读

  在日前举行的 通用平台技术论坛 (Common Platform Technology Forum)上,IBM公司与其技术联盟伙伴三星电子(Samsung Electronics)和Global Foundries共同探讨超越 FinFET 技术的半导体发展前景,看好可挠曲晶圆、持续微缩、双重曝光微影以及碳奈米管和硅光等下一代技术的最新进展。

  IBM的科学家强调采用浸润式微影技术的双重曝光技巧。IBM公司并展示全耗尽型绝缘上覆硅(FD-SOI)的进展以及硅光子学计划、奈米线以及半导体发展蓝图上的其它最新进展。

  我们从45nm节点后就一直停滞不前,但透过 EUV 技术能协助我们回到向先进制程迈进的路径, IBM半导体研究小组首席技术专家Gary Patton说, EUV 反映出微影技术发展史上最大的变异,因为 EUV 光源极具挑战性──它可能被反射透镜与光罩等任何材料所吸收, 他补充说。

  尽管如此, 我认为 CMOS 将持续微缩,但这将需要采用像碳奈米管和硅光子学等具突破性的技术, 他说。

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