法甲

海外人才回国助力南昌光谷 让‘中国芯’点亮世界

2019-12-04 19:13:33来源:励志吧0次阅读

对于(江西)有限公司副总裁付羿来说,回国就像 拔掉了心里的一根刺 。虽然在国外生活稳定舒适,但他不喜欢那样 打工 的日子,于是他毅然回国。

大学毕业与结缘出国深造

先后申请2项外国专利,发表了 0余篇论文报告。

1998年,付羿从清华大学材料科学与工程专业毕业后,进入中国科学院半导体研究所,专攻微电子学与固体电子学专业,在这里开始了他与技术的不解之缘。 我的硕士生导师是国内第一个把氮化镓LED从实验室转化成生产的人,在他的影响下我初次接触LED技术,从那以后就一直从事这方面的研究。 付羿说。

命运早已安排,你只需要做好自己。这句话用在付羿身上再合适不过。在中科院半导体研究所的四年,付羿发现LED技术有很大的研究和发展空间。然而,当时国内LED技术研究还很薄弱,付羿选择出国深造,2007年获美国弗吉尼亚联邦大学电子工程博士学位。

技术研发不能仅仅停留在学校实验室,还要在实践中发展。 付羿说。博士毕业后的7年间,付羿先后加入美国Xepix公司、美国普瑞公司和东芝美国电子元件公司,历任技术团队成员和高级外延研究员,长期负责8英寸硅衬底GaN基LED的外延开发和量产导入,进行了大量开创性的技术升级和工艺改良,使得大尺寸硅衬底路线在生产上完全成熟。

天道酬勤,付出总有回报。在国外多年的进修与实践中,付羿先后申请2项外国专利,发表了 0余篇论文报告,并拥有2个书本章节。目前,8英寸硅衬底LED的光效及生产良率和高性能蓝宝石基LED已经持平,为未来的LED制造兼容硅半导体工艺,朝向超大规模、自动化和低成本的制造模式进化打下了坚实基础。在8英寸硅衬底AlGaN/GaN高速开关器件的外延结构和外延质量优化方面有独创性突破,不仅推动了8英寸硅衬底AlGaN/GaN高速开关器件的耐压、漏电、电流崩塌等参数的大幅提升,并且使8英寸硅衬底上的高速开关器件参数一致性得到根本性的解决。

   

本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

1个月婴儿咳嗽怎么办
宝宝反复发烧
拉水要不要吃药
止咳药不含防腐剂效果咋样
分享到: